中国电力 ›› 2019, Vol. 52 ›› Issue (9): 20-29.DOI: 10.11930/j.issn.1004-9649.201907122

• 电力电子器件可靠性专栏 • 上一篇    下一篇

压接型IGBT均流设计

刘国友1,2, 窦泽春1,3, 罗海辉1,2, 覃荣震1,2, 王彦刚1,2   

  1. 1. 新型功率半导体器件国家重点实验室, 湖南 株洲 412001;
    2. 株洲中车时代电气股份有限公司, 湖南 株洲 412001;
    3. 中车株洲电力机车研究所有限公司, 湖南 株洲 412001
  • 收稿日期:2019-07-15 修回日期:2019-07-22 出版日期:2019-09-05 发布日期:2019-09-19
  • 作者简介:刘国友(1966-),男,博士,高级工程师(教授级),从事功率半导体器件技术研究、产品开发及产业化工作,E-mail:liugy@csrzic.com;窦泽春(1985-),男,高级工程师,从事功率半导体器件技术研究与产品开发以及变流技术相关工作,E-mail:douzc@csrzic.com;罗海辉(1982-),男,博士,高级工程师(教授级),从事IGBT芯片及器件技术研究、产品开发及产业化工作,E-mail:luohh@csrzic.com;覃荣震(1982-),男,高级工程师,从事IGBT芯片设计开发、技术研究及产品开发工作,E-mail:qinrz@csrzic.com;王彦刚(1974-),男,博士,从事功率半导体IGBT及SiC器件封装技术研究、产品开发及可靠性研究等工作,E-mail:wangyg2@csrzic.com

Current-sharing Design of Press-Pack IGBT

LIU Guoyou1,2, DOU Zechun1,3, LUO Haihui1,2, QIN Rongzhen1,2, WANG Yangang1,2   

  1. 1. State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices, Zhuzhou 412001, China;
    2. Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd., Zhuzhou 412001, China;
    3. CRRC Zhuzhou Institute Co., Ltd., Zhuzhou 412001, China
  • Received:2019-07-15 Revised:2019-07-22 Online:2019-09-05 Published:2019-09-19

摘要: 针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好。

关键词: 均流, 压接型, IGBT, 设计

Abstract: Aiming at the inner design of the press-pack IGBT devices, this paper focuses on the study and optimal design of these issues, such as multi-chip pressure contact and its pressure balancing, internal current-sharing and current balancing among sub-units. Testing results showed that the developed press-pack IGBT devices has promising capabilities of current turn-off, short-circuit current and RBSOA, which indicates their good ability of inner current sharing.

Key words: current-sharing, press-pack, IGBT, design

中图分类号: